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          離子精修儀- TEM 樣品精修

          更新時間:2023-11-15
          產品型號:Gentle Mill
          所屬分類:離子精修儀-TEM樣品精修
          描述:Technoorg Gentle Mill 離子精修儀產品專為最終拋光、精修和改善 FIB 處理后的樣品而設計。 Gentle Mill 型號非常適合要求樣品無加工痕跡、表面幾乎沒有任何損壞的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用戶。 同時,Gentle Mill 還適用于快速減薄凹坑或超薄平面 (< 25 μm) 以及機械拋光樣品。
          詳情介紹

          Gentle Mill 離子精修儀--用于制備高質量 TEM/FIB 樣品的離子束工作站

           

          Technoorg Gentle Mill 離子精修儀產品專為最終拋光、精修和改善 FIB 處理后的樣品而設計。 Gentle Mill 型號非常適合要求樣品無加工痕跡、表面幾乎沒有任何損壞的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用戶。 同時,Gentle Mill 還適用于快速減薄凹坑或超薄平面 (< 25 μm) 以及機械拋光樣品。

           

          離子精修儀.jpg

           

          產品特色:

          1. 快速、可靠地精修和處理 TEM 和 FIB 樣品

          2.  帶有預編程的設置,可進行自動化操作

          3. 可應用于工業環境中

          4. 直接匹配日立 FIB-STEM/TEM 系統 3D 樣品臺

           

          性能參數

           

          低能離子槍(固定型)

          • 離子能量:100 - 2000 eV,連續可調

          • 離子電流密度:最大 10 mA/cm2

          •  離子束流:7 - 80 μA,連續可調

          •  離子束直徑:750 - 1200 μm (FWHM)電控優化的工作氣流

          • 在 2000 eV 離子能量和 30° 入射角下,c-Si 的研磨速率為 28 μm/h

           

          樣品臺

          • 切削角度:0° - 40°,每 0.1° 連續可調

          • 可進行計算機控制的平面內樣品旋轉和擺動(從 ±10° 到±120°,每 10° 連續可調)

          • 可適用的 TEM 樣品的厚度范圍 (30 -200 μm)

           

          樣品處理

          • 用于快速樣品交換的真空鎖系統

          • 全機械、無膠裝載

          • 專為 XTEM 樣品設計的鈦夾和封裝技術

           

          真空系統

          Pfeiffer 真空系統配備無油隔膜和渦輪分子泵,配備緊湊的全范圍 Pirani/Penning 真空計

           

          供氣系統

          • 99.999% 純氬氣,絕對壓力為 1.3 - 1.7 bar

          • 帶有電子出口壓力監測功能的惰性氣體專用壓力調節器

          • 工作氣體流量高精準控制

           

          成像系統

          • 用于全視覺控制和切削監控/終止的 CMOS 相機圖像

          • 高分辨率彩色 CMOS 相機

          • 50 - 400 倍放大范圍的手動變焦視頻鏡頭

           

          電腦控制

          •  內置工業級計算機

          • 簡單便捷的圖形界面和圖像分析模塊

          • 通過鼠標點擊或拖動輕松控制所有重要參數

          • 高度自動化的操作機制,最大限度地減少人工干預

           

          電源要求

          100 - 120 V/3.0 A/60 Hz 或 220 - 240 V/1.5 A/50 Hz ? 單相

           

          應用案例

           

          01. Gentle Mill 對在各種 FIB 制備的樣品進行低能量 Ar+ 氬離子研磨顯著降低了受損的非晶表面層的厚度。可以實現對 65 nm 節點半導體器件進行原子級結構分析。

           

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